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異質(zhì)結(jié)太陽電池量產(chǎn)HoFCVD解決方案 HAC201-8000型:8000片/小時

異質(zhì)結(jié)太陽電池量產(chǎn)HoFCVD解決方案 HAC201-8000型:8000片/小時

  • 分類:產(chǎn)品中心
  • 作者:
  • 來源:
  • 發(fā)布時間:2022-07-19
  • 訪問量:0

【概要描述】

異質(zhì)結(jié)太陽電池量產(chǎn)HoFCVD解決方案 HAC201-8000型:8000片/小時

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詳情

  HAC201-8000系列產(chǎn)品是本公司為晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池量產(chǎn)制造開發(fā)的熱絲CVD(HoFCVD)系統(tǒng),由如下圖所示的主鍍膜機臺(基于立式HoFCVD工藝)、上下料自動化系統(tǒng)、低價優(yōu)質(zhì)的熱絲耗材以及全套的baseline工藝構(gòu)成的整套HoFCVD鍍膜裝備技術。該系統(tǒng)可以IN-IP兩臺鍍膜機構(gòu)成,也可I-IN-P三臺鍍膜機構(gòu)成,設備產(chǎn)能8000片/小時,baseline工藝電池效率可達25.0%以上。

 


  該型號的IN-IP兩臺機構(gòu)成,其基本性能如下表所示:

產(chǎn)能(片/小時) 8000
節(jié)拍 ≤110s
單載板片數(shù) 120(166-182mm)
熱絲來源 自主技術
沉積材料 P/I/N  a-Si:H/μc-Si:H
工藝氣體 SiH4、H2、PH3(H2 稀釋 2%)、B2H6(H2 稀釋 3%)等
膜層厚度、均勻性 ≤10nm,均勻性±10%

 

載板溫度均勻性 ≤10℃
上下料自動化配套 自主技術
運營耗材、備件成本

0.0235 元/W

(預計值,以實際發(fā)生為準)

設備尺寸(長寬高) 33 米×20 米×4.5 米
預期電池效率、與產(chǎn)線其它段工序兼容性 ≥25.0%、兼容性好,上下游工段設備無需做特殊調(diào)整。

 

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  HAC201-8000型號HoFCVD及上下料自動化布局圖(圖片僅供參考)


  HoFCVD的鍍膜原理是依靠高溫金屬絲催化裂解反應氣體(硅烷、氫氣等),生成不帶電的活性基團,然后在襯底表面反應成膜。其原理與PECVD的依靠高頻電磁場震蕩反應生成帶電活性基團,然后轟擊襯底表面反應成膜是不同的。另,本司對HoFCVD設備的構(gòu)造、上下料自動化系統(tǒng)都進行了革新設計,使其鍍膜性能、產(chǎn)能、自動化的方便使用程度、整套系統(tǒng)的稼動率等方面均有了顯著的進步,主要特點如下:
  產(chǎn)能大,價格低、運營成本低:每小時8000片(166-182mm尺寸);設備價格顯著低于PECVD;運營成本比PECVD低(~10%),低價供應耗材“熱絲”。
  鍍膜質(zhì)量好、易于實現(xiàn)微晶硅薄膜的制備、特氣耗量低:HoFCVD相比于PECVD原理上的優(yōu)點:無等離子體濺射損傷,提高界面質(zhì)量;特氣消耗量為PECVD的1/10—1/100。反應基團溫度高,易于實現(xiàn)微晶硅膜的制備。
  無粉塵產(chǎn)生,免NF3刻蝕:提高有效工作時間(稼動率)≥5%,減少特氣消耗和排放處理;
  非吸盤式取放硅片:徹底消除吸盤印,減少碎片率;
  自動化模塊式構(gòu)造:減少設備宕機(稼動率≥90%),減少設備維護難度和備件成本;
  立式結(jié)構(gòu):可有效避免粉塵顆粒污染表面,提高連續(xù)生產(chǎn)太陽電池填充因子和良品率;
  設備占地空間少,節(jié)省廠務成本。
  與產(chǎn)線上下游工序兼容性好。

  詳細資料請聯(lián)系本公司取得。歡迎各方朋友蒞臨指導,交流洽談合作。
  聯(lián)系方式:
  黃先生
  電話:13576906107;郵箱:hbhuang@hactech.cn。
  地址:江西省九江市共青城市國家高新區(qū)火炬五路

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